Um die Leitungsfähigkeit eines Halbleiters zu verbessern, wird beispielsweise in Silizium jedes hunderttausendste Siliziumatom durch ein fünfwertiges Arsenatom ersetzt. Somit werden nur vier der fünf Valenzelektronen zur Elektronenpaarbindung mit den vier nächsten Nachbarn benötigt. Dieses Gebiet besitzt praktisch ein Proton zuviel und bildet eine positiv geladene Stelle im Kristall.

Das fünfte Valenzelektron kann somit seinen Platz verlassen und zum elektrischen Strom beitragen.